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采取Flash存储器完成TMS320VC5410 DSP对多用户代码加载的办法研究

电子设计 2020-05-21 08:30 次浏览

引 言

在TMS320C54X系列DSP体系的开辟中,由于DSP片内只要ROMRAM存储器,如要将用户代码写入ROM中,必须要由DSP芯片厂家来完成;但如许做用户就不克不及再更改代码,很不实用。由于RAM在DSP掉落电后不克不及再保存数据,是以,常常应用EPROM、Flash等一些外部存储器来存放用户代码。在DSP上电任务后,应用DSP供给的boot机制,再将法式榜样下载到DSP RAM中运转。假设应用EPROM外部存储器存放用户代码,须要用代码转换对象将用户代码转换为二进制目标文件,然后用编程器将其烧写进EPROM;而假设应用Flash存储器存放用户代码,则可直接应用DSP仿真器和CCS(Code Composer Studio )仿真情况停止在线编程,应用灵活便利,不再须要其它编程设备。在某一以太网通信体系中,我们就采取Flash存储器来完成多份用户代码的有选择加载。下面就以此体系为例简介对TMS320VC54X DSP的一种用户代码加载的办法。

1、体系构架

此通信体系基于802.3以太网标准,用以完成各终端之间的话音和其它数据的通信,和完成局域网内终端与外界的话音和数据通信。为节约开辟本钱,进步体系的可扩大性、通用性和灵活性,我们对每个网内终端采取异样的硬件架构,经过过程应用不合的软件代码而使其完成不合的功能,发挥不合的感化。

每通信终端由2块DSP芯片、1块网卡、1块CPLD和1块FPGA和Flash存储器等器件构成可扩大的根本构造。个中,以TMS320VC5410 DSP作为主CPU,担任体系的逻辑控制和普通数据传输;以MS320VC5416 DSP作为从CPU,担任话音的编解码和反响清除、语音检测等任务。2块DSP之间经过过程主机接口(HPI)停止通信。为了实现代码的有选择下载,可由FPGA设备一端口作为拨码开关,应用户经过过程调理拨码开关,可以有选择地下载存储于Flash中的用户代码,其构造如图1所示。

采取Flash存储器完成TMS320VC5410 DSP对多用户代码加载的办法研究

设备拨码开关是为了扩大体系的功能,以完成一个硬件平台的多种用处。我们可以将完成不合功能的多份用户代码都写入Flash存储器中存放,经过过程硬件拨码开关的设置,选择个中一份用户代码下载履行。在体系上电加载用户代码时,体系先从Flash下载FPGA设备法式榜样,然后经过过程FPGA读出拨码开关的值,再根据此值从Flash当选择对应的5410 DSP用户代码加载;而5416 DSP的用户代码加载是在5410代码加载完成,启动运转后由5410法式榜样从Flash中读出照应的5416代码,再经过过程HPI加载到5416的,以此完成5416 DSP的代码加载与启动。

2、M29W800AB Flash存储器简介及应用

在此体系中,我们选用的是M29W800AB Flash存储器,其容量为512K16位, 分为16页,每页32K。个中,第0页有4个模块:0x00~0x1fff、0x2000~0x2fff、0x3000~0x3fff、0x4000~0x7fff。其他各页,每页为1个模块,共有19个模块。

对Flash的操作要靠写入一系列特定的地址和数据序列来完成。在每次对Flash写入之前,要对其本来的内容停止擦除。Flash的擦除包含块擦除和芯片擦除两种。块擦除是对一个模块停止擦除,芯片擦除是擦除全部Flash的内容。是以,对Flash的操作,是以模块为根本单位的。对Flash的操作由指令决定,其必须满足Flash的时序请求,每条指令须要1~6个不等的指令周期。重要操作指令包含读数据指令、编程指令、复位指令、主动选择指令和擦除指令。每个指令周期由一个敕令构成,每个敕令代码所履行的义务如表1所列。

表1 Flash的敕令解释

下面以M29W800AB Flash的块擦除指令为例,详细解释Flash的操作时序:块擦除指令须要6个总线周期,先以2个解周期开端,然后是1个擦除建立周期,接上去又是2个解锁周期,最后是1个擦除确认周期,其指令时序如表2所列。

表2 Flash擦除指令解释

其C说话法式榜样设计代码以下:

#define flash ((volatile unsigned int*)0x8000)

Block_Erase(ADDR){

flash[0x5555] = 0x00AA;

wait(1000);

flash[0x2AAA] = 0x0055;

wait(1000);

flash[0x5555] = 0x0080;

wait(1000);

flash[0x5555] = 0x00AA;

wait(1000);

flash[0x2AAA] = 0x0055;

wait(1000);

flash[ADDR] = 0x0030;

}

须要留意的是,Flash相关于DSP来讲是慢速设备,编程时,对Flash的拜访须要有足够的延时等待。对其它指令这里就不逐一简介了。要懂得更多内容,可参考详细的Flash存储器手册。

3 、引导装载

DSP上电复位后,先检测其MP/MC引脚,假设MP/MC=“0”,表示应用片内ROM引导。此时,DSP从0xFF80处开端履行TI的片内引导法式榜样。进入引导法式榜样后,HINT引脚变成低电平,然后开端检测INT2能否为低电平(有效)。如有效,则进入HPI引导方法;不然,检测INT3引脚。如有INT3请求中断,则进入串行引导方法;不然,就进入并行引导方法。在本体系中,我们采取TI公司供给的Bootlooder法式榜样停止引导装载,为此,应将MP/MC引脚接低电平。引导法式榜样流程如图2所示。

3.1 HPI形式完成TMS320VC5416的法式榜样加载

按以上设计,5416DSP的法式榜样加载采取HPI(主机接口)形式。关于HPI引导形式,必须将HINT和INT2引脚连接在一路,以包管Bootloader法式榜样能检测到INT2有效。当检测其为低电平常平凡,进入HPI引导方法。主处理器5410启动运转后,5410法式榜样从Flash中下载5416法式榜样,经过过程5410与5416之间的HPI写入5416 RAM。在将法式榜样写入5416时,要按照5416法式榜样的cmd文件设备,将从Flash中读出的代码写入5416法式榜样空间的代码段。写完代码后,还应将5416代码的肇端地址写入5416的0x7f单位,将0写入0x7e单位,肇端地址可在CCS仿真情况中编译5416代码后看出,此时PC所指向的地位就是代码的肇端地址。这是由于,当5416进入HPI引导方法后,Boodloader法式榜样开端检测0x7f单位的内容(0x7e和0x7f两单位内容在Boodloader法式榜样开端履行时就清零)。当检测到其内容不为零时,行将0x7e的内容赋给XPC,将0x7f的内容赋给PC,法式榜样跳转到PC所指向地位履行用户代码。如许就完成了从片5416的法式榜样加载启动。图3是HPI形式加载用户代码的流程。

3.2 并行加载形式完成TMS320VC5410的法式榜样加载

5410主处理器的用户代码加载采取并行形式加载。在本体系中,有多份5410用户代码存储于Flash中。体系上电后,先要从Flash中下载FPGA设备代码,然后读出拨码开关的值,再选择照应的用户代码下载,完成后,跳转到用户代码的出口地址开端履行用户代码。为此,须要设计一启动法式榜样以完成以上功能。启动法式榜样的内容包含下载FPGA设备代码,读拔码开关值,并根据此值选择下载照应的5410用户代码到其cmd文件设备的照应法式榜样空间。完成后,跳转到用户代码肇端地址。代码的肇端地址经过过程CCS仿真情况编译后取得,启动法式榜样的下载运转,则要依附TI的片内引导法式榜样,采取16位并行形式引导加载,须要构建引导表。所谓引导表就是引导法式榜样要调入的代码。引导表中除包含源代码以外,还包含一些附加信息。这些信息指导引导法式榜样的详细履行过程。是以,可以说引导表是由法式榜样代码和一些附加信息构成的一种数据构造。在这里,我们须要用启动法式榜样构建引导表,并将引导表也写入Flash中。

在此体系中,Flash存储器映照为DSP的0x8000~0xffff数据空间。对Flash操作时,起重要选择页,每页都对应为DSP的0x8000~0xffff地址的数据空间。须要留意:除将引导表写入Flash外,还应将引导表的肇端地址(关于DSP处理器而言的地址,假设在Flash中为0,则对DSP即为0x8000)写入Flash第一页的最后一个单位(0x7fff单位),即DSP存储空间的0xFFFFh单位。引导法式榜样进入并行加载形式后,将查询数据空间的0xFFFFh单位,直到读入一个有效的地址数据。此数据为用户引导表的出口地址。这时候,引导法式榜样就跳转到Flash中的用户引导表开端履行。须要留意的是,关于不合型号和厂家的Flash,其引导表的格局和内容是不合的。下面就M29W800AB Flash引导表的格局及我们所设备的内容解释以下:

法式榜样根据引导表的内容将用户代码下载到指定的法式榜样空间中,并将指定的法式榜样出口地址值赋给PC,使法式榜样从此处开端履行,从而完成5410 DSP的引导启动。并行引导流程如图4所示。

在体系的实际调试过程当中,经过过程HPI加载5416代码时,要留意5410和5416的时钟要婚配。普通来讲,请求从片时钟为主片时钟的1.25倍以上。在此体系中,体系基准时钟为8MHz,5410启动时钟设为8MHz,5416设为10倍频80MHz。

本体系最大年夜的长处是完成了一机多用,扩大了体系的功能,加强了体系的灵活性和通用性,在实际应用中已取得了优胜的后果。

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本文档的重要内容详细简介的是计算机构成道理第二版进修课件收费下载包含了:第1章 计算机体系概论,第....
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计算机构成道理第二版进修课件收费下载

应用F28335完成数字滤波器算法的设计论文申报

编写FIR数字滤波算法法式榜样,对输入旌旗灯号(比如正弦旌旗灯号、矩形旌旗灯号等)停止滤波处理。 1)起首在MAT....
发表于 05-19 08:00 67次 浏览
应用F28335完成数字滤波器算法的设计论文申报

零起步轻松学数字电路第二版电子书收费下载

本书是一本简介数字电路的图书,共分8章,重要内容包含门电路,数制、编码与逻辑代数,组合逻辑电路,时序....
发表于 05-19 08:00 87次 浏览
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应用多端口存储器双口RAM和FIFO完成多机体系的设计

双口RAM是罕见的共享式多端口存储器,以图1所示通用双口静态RAM为例来解释双口RAM的任务道理和仲....
发表于 05-18 10:26 164次 浏览
应用多端口存储器双口RAM和FIFO完成多机体系的设计

分立闪存存储器范畴加密和安然基本举措措施

嵌入式体系愈来愈广泛地采取云技巧来停止数据收集、事宜检测和软件更新。这些长途物联网设备广泛经过过程固件完....
发表于 05-18 10:25 64次 浏览
分立闪存存储器范畴加密和安然基本举措措施

基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机完成微型压力丈量装配设计

Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大年夜类。串行Flash存储器大年夜多采取I2C接口或SPI接口进....
发表于 05-18 10:02 94次 浏览
基于AT45DB161B存储器和PIC16LC73B单片机完成微型压力丈量装配设计

STM32串行外设接口SPI的材料解释

小容量产品 是指闪存存储器容量在 16K 至 32K 字节之间的 STM32F101xx 、STM3....
发表于 05-18 08:00 59次 浏览
STM32串行外设接口SPI的材料解释

敏博推出32GB原生DDR4-3200工业级存储器模块

专注工控DRAM模块与Flash贮存装配集成筹划的敏博(MEMXPRO Inc.),不受疫情影响,持....
发表于 05-17 10:49 106次 浏览
敏博推出32GB原生DDR4-3200工业级存储器模块

芯片加持家电向智能化转型,国产家电芯片结合芯片厂商冲击高端

我国从90年代以来就把芯片自力自立作为国度支撑的重要家当,但是2003年陈进创造的数字旌旗灯号处理器(D....
发表于 05-17 10:31 801次 浏览
芯片加持家电向智能化转型,国产家电芯片结合芯片厂商冲击高端

ALTERA FPGA PCIE的设计指导教程

PCI Express高性能参考设计凹陷了Altera@PCI Express MegaCore的硬....
发表于 05-14 17:51 75次 浏览
ALTERA FPGA PCIE的设计指导教程

BELASIGNA R281 一直聆听,语音触发音频DSP体系

信息 BelaSigna®R281是一款超低功耗语音触发处理筹划,实用于各类花费电子设备。在典范的应用中,BelaSigna R281“一直在聆听”。并且将检测单个用户练习的触发短语,当检测到该触发短语时断言唤醒旌旗灯号。 “一直开启”。均匀功耗小于300 uW的关键短语检测(不包含麦克风的功耗)可保持待电机池寿命。 BelaSigna R281是一款超小型处理筹划,可同时供给采取5 mm x 5mm QFN32封装和2.42 mm x 2.74 mm WLCSP封装。它可以设计在单层PCB上,具有4 mil布线和最大批的外部元件。 须要一个外部的I C主控制器来设备器件停止操作。 超低功耗 卓越绩效 混淆旌旗灯号 Easy Design-In 优势特点 重要功能 久经考验的超低功耗数字旌旗灯号处理(DSP)技巧 •最后为助听器开辟的音频DSP技巧在以下方面具有所需的计算才能极低电流消费 •...
发表于 04-18 19:42 91次 浏览
BELASIGNA R281 一直聆听,语音触发音频DSP体系

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交换或双极性任务形式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品概略AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界抢先的可变电阻性能与非易掉性存储器(NVM)于一体,采取紧凑型封装。该器件既可以采取±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采取2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可经过过程I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可停止无穷次调剂。AD5175不须要任何外部电压源来赞助熔断熔丝,并供给50次永久编程的机会。在50-TP激活时代,一个永久熔断熔丝指令会将电阻地位固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调剂器上)。AD5175供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。包督任务温度范围为−40°C至+125°C扩大...
发表于 04-18 19:35 28次 浏览
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交换或双极性任务形式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品概略AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界抢先的可变电阻性能与非易掉性存储器(NVM)于一体,采取紧凑型封装。 该器件既可以采取±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也能够采取2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可经过过程SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可停止无穷次调剂。AD5174不须要任何外部电压源来赞助熔断熔丝,并供给50次永久编程的机会。在50-TP激活时代,一个永久熔断熔丝指令会将电阻地位固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调剂器上)。AD5174供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。包督任务温度范围为−40°C至+125°C扩大工业...
发表于 04-18 19:35 26次 浏览
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能形式):±1%(最大年夜值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲懂得更多特点,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 加强型产品变革告诉 认证数据可应请求供给 V62/12616 DSCC图纸号产品概略AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界抢先的可变电阻性能与非易掉性存储器(NVM)于一体,采取紧凑型封装。这些器件可以或许在宽电压范围内任务,支撑±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界抢先的包管低电阻容差误差特点可以简化开环应用,和周详校准与容差婚配应用。AD5291和AD5292的游标设置可经过过程SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可停止无穷次调剂。这些器件不须要任何外部电压源来赞助熔断熔丝,并供给20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 44次 浏览
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能形式) 20次可编程 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 温度系数(分压器形式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲懂得更多特点,请参考数据手册 产品概略AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界抢先的可变电阻性能与非易掉性存储器(NVM)于一体,采取紧凑型封装。这些器件的任务电压范围很宽,既可以采取±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也能够采取+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并供给20次可编程(20-TP)存储器。业界抢先的包管低电阻容差误差特点可以简化开环应用,和周详校准与容差婚配应用。AD5291/AD5292的游标设置可经过过程SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可停止无穷次调剂。这些器件不须要任何外部电压源来赞助熔断熔丝,并供给20次永久编程的机会。在20-TP激活时代,一个永久熔断熔丝指令会将游标地位固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调剂器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 24次 浏览
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易掉性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易掉性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典范值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典范值) 电阻容差存储在非易掉性存储器中 EEMEM供给12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM存放器 预定义线性递增/递减敕令 预定义±6 dB阶跃变更敕令 欲懂得更多信息,请参考数据手册产品概略AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采取非易掉性存储器的数字控制电位计,可完成与机械电位计、调剂器和可变电阻雷同的电子调剂功能。AD5253/AD5254具有多功能编程才能,可以供给多种任务形式,包含读写RDAC和EEMEM存放器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变更、游标设置回读,并额外供给EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC存放器,并将其存储在EEMEM中。存储设置以后,体系上电时这些设置将主动恢复至RDAC存放器;也能够静态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 58次 浏览
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易掉性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易掉性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易掉性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典范值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典范值) 电阻容差存储在非易掉性存储器中 EEMEM供给12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM存放器 预定义线性递增/递减敕令 预定义±6 dB阶跃变更敕令 欲懂得更多特点,请参考数据手册产品概略AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采取非易掉性存储器的数字控制电位计,可完成与机械电位计、调剂器和可变电阻雷同的电子调剂功能。AD5253/AD5254具有多功能编程才能,可以供给多种任务形式,包含读写RDAC和EEMEM存放器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变更、游标设置回读,并额外供给EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC存放器,并将其存储在EEMEM中。存储设置以后,体系上电时这些设置将主动恢复至RDAC存放器;也能够静态恢复这些设置。在同步或异步通...
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AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易掉性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易掉性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易掉性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易掉性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易掉性存储器写保护 数据保存克日:100年(典范值, TA = 55°C )产品概略AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可完成与电位计或可变电阻雷同的电子调剂功能。该器件经过过程微控制器完成多功能编程,可以供给多种任务与调剂形式。在直接编程形式下,可以从微控制器直接加载RDAC存放器的预设置。在另外一种重要任务形式下,可以用之前存储在EEMEM存放器中的设置更新RDAC存放器。当更改RDAC存放器以确立新的游标位时,可以经过过程履行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM存放器以后,这些值便可以主动传输至RDAC存放器,以便在体系上电时设置游标位。这类操作由外部预设选通脉冲使能;也能够从外部拜访预设值。根本调剂形式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 129次 浏览
AD5252 I2C, 非易掉性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易掉性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易掉性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易掉性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易掉性存储器写保护 数据保持才能:100年(典范值,TA = 55°C )产品概略AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可完成与电位计或可变电阻雷同的电子调剂功能。该器件经过过程微控制器完成多功能编程,可以供给多种任务与调剂形式。在直接编程形式下,可以从微控制器直接加载RDAC存放器的预设置。在另外一种重要任务形式下,可以用之前存储在EEMEM存放器中的设置更新RDAC存放器。当更改RDAC存放器以确立新的游标位时,可以经过过程履行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM存放器以后,这些值便可以主动传输至RDAC存放器,以便在体系上电时设置游标位。这类操作由外部预设选通脉冲使能;也能够从外部拜访预设值。根本调剂形式就是在游标位设置(RDAC)存放器...
发表于 04-18 19:29 118次 浏览
AD5251 I2C, 非易掉性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易掉性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大年夜值) 高温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易掉性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差贮存于EEMEM中 26字节额外非易掉性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典范数据保存期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 加强型产品变革告诉 认证数据可应请求供给 V62/11605 DSCC图纸号产品概略AD5235是一款双通道非易掉性存储器1、数控电位计2,具有1024阶跃分辨率,包管最大年夜低电阻容差误差为±8%。该器件可完成与机械电位计雷同的电子调剂功能,并且具有加强的分辨率、固态靠得住性和出色的高温度系数性能。经过过程SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程才能,支撑多达16种任务形式和调理形式,个中包含暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调剂和游标设置回读,同时供给额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、体系标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 150次 浏览
AD5235 非易掉性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易掉性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易掉性存储器保存游标设置 上电时应用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典范值) 完全单调性任务 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品概略AD5231是一款采取非易掉性存储器*的数字控制电位计**,供给1024阶分辨率。它可完成与机械电位计雷同的电子调剂功能,并且具有加强的分辨率、固态靠得住性和遥控才能。该器件功能丰富,可经过过程一个标准三线式串行接口停止编程,具有16种任务与调剂形式,包含便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调剂、游标设置回读,并额外供给EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或体系辨认信息等。在便笺式编程形式下,可以将特定设置直接写入RDAC存放器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在体系上电时主动传输至RDAC存放器。EEMEM内容可以静态恢复,或许经过过程外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 136次 浏览
AD5231 非易掉性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,外部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协定。经过过程片选( CS )输入使能器件。另外,所需的总线旌旗灯号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输入(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包含部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件实用于高靠得住性应用。 实用于新产品(Rev. E)。 特点 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技巧 SPI形式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自准时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或一切EEPROM阵列 1,000,000筹划/时代se周期 100年数据保存 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他辨认具有永久写保护的页面 应用 汽车体系 通信体系 计算机体系 花费者体系 工业体系 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 122次 浏览
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,外部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协定。经过过程片选( CS )输入使能器件。另外,所需的总线旌旗灯号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输入(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包含部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件实用于高靠得住性应用。 实用于新产品(Rev. E)。 特点 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI形式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自准时写周期 硬件和软件保护 100年数据保存期 1,000,000个法式榜样/擦除周期 低功耗CMOS技巧 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,和符合RoHS标准 应用 汽车体系 Communica tions Systems 计算机体系 花费者体系 工业体系 ...
发表于 04-18 19:13 886次 浏览
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,外部组织为512x8位。安森美半导体先辈的CMOS技巧大年夜大年夜降低了器件的功耗请求。它具有16字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协定。该器件经过过程片选()启用。另外,所需的总线旌旗灯号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输入(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包含部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI形式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自准时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技巧 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保存 工业和扩大温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 86次 浏览
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,外部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支撑串行外设接口(SPI)协定。经过过程片选( CS )输入使能器件。另外,所需的总线旌旗灯号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输入(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包含部分和全部阵列保护。 特点 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI形式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自准时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技巧 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保存 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车体系 通信体系 计算机体系 花费者体系 工业体系 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 110次 浏览
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI