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中美半导体市场生长几何

来源:电子发热友整合 作者:Norris 2020-05-22 09:37 次浏览


半导体作为新一代高新技巧,具有技巧含量高,触及家当链长,是科技家当的重要构成部分,同样成为衡量一个国度综合实力的一部分。美国近期对华为加大年夜限制,限制中国在科技赛道的加快度,让我们不能不反思自立研发芯片的重要性。经过过程对以后半导体市场生长状况分析,美国还是半导体实力最强国,中国的追逐速度也抢先各国,我们须要熟悉履新距并做好预备来应对半导体市场的风云变更。
 
一、全球半导体市场变更
 
Gartner数据显示,2007-2019年,全球半导体市场范围呈动摇变更趋势。由于金融危机,2009年,半导体发卖额跌至2284亿美元,后呈小幅上升趋势,2018年达到最大年夜值4767亿美元。2019年全球半导体市场发卖额合计4183亿美元,同比下滑12.25%,全球各大年半夜导体厂贸易绩均出现不合程度的下滑。特别是行情明显好转的存储芯片,发卖额同比增添逾越30%。
 


全球半导体供给商中,英特尔排名第一,支出约658亿美元,其次是三星,支出522亿美元。SK海力士和美光半导体的支出分别为224亿美元和200亿美元,分别位居第三和第四。
 
2、美国在全球半导体市场中居重要地位
 
半导体行业作为全球经济重要增长部分,美国具有全球近一半的半导体市场份额,其外乡的产能远超其他地区,高研发投入支撑美国半导体行业快速生长,美国半导体行业经久处于全球抢先地位。2019年,美国半导体行业为美国创造了460亿美元的出口创汇,成为美国第五大年夜出口产品,直接和直接创造超百万的失业需求,是美国最重要的高新技巧行业之一。
 
美国半导体协会数据显示,2019年美国具有全球近一半的半导体市场份额,占比为47%,排名第一,其他技巧先辈的国度半导体家当的全球市场占领率处于5%到19%之间。
 


2019年,美国半导体公司活着界各大年夜重要市场中均占领抢先市场份额,在中国市场占比为48.8%;欧洲市场占比为50%;日本市场占比为39.8%。


 
美国半导体行业直接和直接创造了近百万失业需求,美国半导体行业直接失业人数为241134人,每位半导体行业失业人员支撑了美国其他经济部分失业人数达4.89人,全部半导体行业创造直接失业人数达数百万人,半导体行业吸纳了美国较多的失业供给。


 
3、中国半导体迎来国产替换
 
中国市场的半导体发卖占了全球的1/3,是份额最大年夜的,相当于美国、欧盟及日本的总和,不过这主如果由于中国事全球制造的中间,特别是电脑、手机产量第一,消费了最多的芯片。随着人工智能的快速生长,和5G、物联网、节能环保、新动力汽车等计谋性新兴家当的推动下,半导体的需求持续增长。估计2020年中国半导体市场需求范围将进一步扩大年夜,市场需求范围有望达到19850亿元。
 
2015-2020年中国半导体市场需求范围走势猜想


数据来源:地下材料整顿
 
 2019年到2020年光年光为受美国制裁,华为事宜加快半导体供给链体系的重塑,可以说国产半导体全家当链碰到了可贵的汗青性机会。受华为事宜影响,很多国际各范畴的龙头体系级厂商也都在加快国产半导体产品导入。加上客岁日本在年内也开端制裁韩国半导体材料范畴,半导体家当链全球化30年的“效力优先”遭到挑衅,以后全球半导体供给链更多以“安然可控”为主线。
 
是以即使中国大年夜陆半导体家当屡次强调要开放协作,2020年国产替换会持续成为国际半导体家当生长的主线,并且国产替换的主导企业能够从华为扩大年夜到更多国产体系厂商,完成替换的产品也从中低端升级到存储、模仿、射频等更多计谋级通用或许量大年夜面广的高端产品上。加快建立完全、自力自立核心技巧的国产半导体工业体系是大年夜势所趋,国际代工、封装、测试和配套设备、材料在2020年也会加快国产替换。
 
 
总结

综合来看,半导体家当是全球经济重要增长部分,2019年在持续的全球贸易动乱和产品价格周期性等身分的综合感化下,全球半导体发卖大年夜幅降低,同比降低12.25%。从半导体材料行业竞争格局看,全球半导体材料家当依然由美国厂商占据相对主导。
 
伴随着5G、物联网、数字经济的高速生长,新基建的办法加快,本年将具有更大年夜的半导体市场范围。美国对华为打压,实施技巧封,让我们看到控制核心技巧才是关键,国产替换也将成为国产半导体的生长趋势,仰仗市场驱动、基本举措措施完美,国度政策搀导引导,中国半导体在国际的地位也会越高。

本文由电子发热友综合报导,内容参考自前瞻网、中国度当信息等,转载请注明以下去源。

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LM324LV 4 通道行业标准低电压运算缩小年夜器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算缩小年夜器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算缩小年夜器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压任务停止了优化。输入和输入可以以异常高的压摆率从轨到轨任务。这些器件异常实用于须要高压任务,高压摆率和低静态电流的本钱受限应用。这些应用包含大年夜型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输入阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于应用,由于器件是同一的 - 增益稳定,包含一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会产生反相。 特点 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输入 低输入掉调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 外部RFI和EMI滤波器 实用于低本钱应用的可扩大CMOS运算缩小年夜器系列 任务电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更轻易稳定输入阻抗 扩大温度范围:-40°C至125°C 一切商标均为其各自一切者的家当。 参数 与其它产品比拟 通用 运算缩小年夜器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
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TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算缩小年夜器

TMP422-EP 加强型产品,具有 N 因数和串连电阻校订的 ±1°C 双路长途和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的长途温度传感器监督器。长途温度传感用具有二极管连接的晶体管 - 平日是低本钱,NPN-或许PNP - 类晶体管或许作为微控制器,微处理器,或许FPGA构成部分的二极管。 无需校准,对多临盆商的长途精度是±1°C。这个2线串行接口接收SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节敕令对此器件停止设备。 TMP422包含串连电阻抵消,可编程非幻想性因子,大年夜范围长途温度丈量(高达150℃),和二极管缺点检测。 TMP422采取SOT23-8封装。 特点 SOT23-8封装 ±1°C长途二极管传感器(最大年夜值) ±2.5°C本地温度传感器(最大年夜值) 串连电阻抵消 n-因子校订 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管毛病检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品比拟 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
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TMP422-EP 加强型产品,具有 N 因数和串连电阻校订的 ±1°C 双路长途和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双道路性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理请求而设计,这些处理器战争台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可设备为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器和通用数字输入旌旗灯号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能旌旗灯号停止控制。 主动PWM /PFM(AUTO形式)操作与主动相位增长/增添相结合,可在较宽输入电流范围内最大年夜限制地进步效力.LP8733xx-Q1支撑长途电压检测(采取两相设备的差分),可补偿稳压器输入与负载点(POL)之间的IR压降,从而进步输入电压的精度。另外,可以强迫开关时钟进入PWM形式和将其与外部时钟同步,从而最大年夜限制地降低搅扰。 LP8733xx-Q1器件支撑可编程启动和关断延迟与排序(包含与使能旌旗灯号同步的GPO旌旗灯号)。在启动和电压变更时代,器件会对出转换率停止控制,从而最大年夜限制地减小输入电压过冲和浪涌电流。 特点 具有符合 AEC-Q100 标准的以下特点:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的情况运转温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输入电压:0.7V 至 3.36V最大年夜输入电流 3A/相采取两相设备的主动相位增长/增添和强迫多相操作采取两相设备的远...
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LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双道路性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下任务,同时在全部V DD 上保持异常低的静态电流和温度范围。 TPS3840供给低功耗,高精度和低传播延迟的最好组合(t p_HL =30μs典范值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位旌旗灯号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以经过过程在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。关于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输入漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测处理筹划,实用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 成果 特点 宽任务电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典范值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典范值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
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TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采取加强型航天塑料且具有加强型 PWM 克制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测缩小年夜器

INA240-SEP器件是一款电压输入,电流检测缩小年夜器,具有加强的PWM反射功能,可以或许在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压有关。负共模电压许可器件在地下任务,适应典范电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM克制为应用脉冲宽度调制(PWM)旌旗灯号的大年夜型共模瞬变(ΔV/Δt)体系(如电机驱动和电磁阀控制体系)供给高程度的克制。此功能可完成精确的电流丈量,无需大年夜的瞬态电压和输入电压上的相干恢复纹波。 该器件采取2.7 V至5.5 V单电源供电,最大年夜电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低掉调许可电流检测,分流器上的最大年夜压降低至10 mV满量程。 特点 VID V62 /18615 抗辐射 单事宜闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次应用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间加强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩大产品更改告诉 产品可追溯性 用于低释气的加强型模具化合物 加强型PWM克制 出色...
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INA240-SEP 采取加强型航天塑料且具有加强型 PWM 克制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测缩小年夜器

LM96000 具有集成电扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监督用具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。应用8位ΣΔADC,LM96000丈量: 两个长途二极管连接晶体管及其本身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(外部定标电阻)。 为了设置电扇速度,LM96000有三个PWM输入,每个输入由三个温度区域之一控制。支撑高和低PWM频率范围。 LM96000包含一个数字滤波器,可调用该滤波器以腻滑温度读数,从而更好地控制电扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于丈量电扇速度。包含一切丈量值的限制和状况存放器。 特点 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个长途热二极管 基于温度读数的可编程自立电扇控制 电扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM电扇速度控制输入 供给高低PWM频率范围 4电扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试形式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
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LM96000 具有集成电扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成电扇控制的精确长途二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成电扇控制的长途二极管温度传感器。 LM63精确丈量:(1)本身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单位(GPU)和其他ASIC上罕见的热敏二极管的温度。 LM63长途温度传感器的精度针对串连电阻和英特尔0.13μm奔跑4和移动奔跑4处理器-M热敏二极管的1.0021非幻想性停止了工厂调剂。 LM63有一个偏移存放器,用于校订由其他热二极管的不合非幻想身分惹起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏电扇控制输入。电扇速度是长途温度读数,查找表和存放器设置的组合。 8步查找表应用户可以或许编程非线性电扇速度与温度传递函数,平日用于静音声学电扇噪声。 特点 精确感应板载大年夜型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 精确感知其本身温度< /li> 针对英特尔奔跑4和移动奔跑4处理器-M热二极管的工厂调剂 集成PWM电扇速度控制输入 应用用户可编程降低声学电扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输入或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于丈量电扇RPM的转速计输入< /li> 用于丈量典范应用中脉冲宽度调制功率的电扇转速的Smart-Tach形式 偏移存放器可针对...
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LM63 具有集成电扇控制的精确长途二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加快器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,可以或许在76至81 GHz频段内任务。该器件采取TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内完成史无前例的集成度。 AWR1843是汽车范畴低功耗,自监控,超精确雷达体系的幻想处理筹划。 AWR1843器件是一款自力的FMCW雷达传感器单芯片处理筹划,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可完成具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX体系的单片完成。它集成了DSP子体系,个中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达旌旗灯号处理。该设备包含BIST处理器子体系,担任无线电设备,控制和校准。另外,该器件还包含一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加快器模块(HWA)可以履行雷达处理,并可以赞助在DSP上保存MIPS以取得更高等其他算法。简单的编程模型更改可以完成各类传感器完成(短,中,长),并且可以静态重新设备以完成多模传感器。另外,该设备作为完全的平台处理筹划供给,包含参考硬件设计,软件驱动法式榜样,示例设备,API指南和用户文档。 特点 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加快器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 周详运算缩小年夜器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算缩小年夜器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可完成轨到轨输入和输入运转。这些特点及优良交换性能与仅为0.25μV的偏移电压和0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输入的幻想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程当中完成优良性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)供给VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)供给VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)供给TSSOP-14和SO-14两种封装。上述一切版本在-40°C至+ 125°C扩大工业温度范围内额外运转。 特点 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输入 已滤除电磁搅扰( EMI)/射频搅扰(RFI)的输入 行业标...
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OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 周详运算缩小年夜器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算缩小年夜器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算缩小年夜器是新一代低功耗,通用运算缩小年夜器的典范代表。该系列器件具有轨到轨输入和输入(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典范值为150μA),3MHz高带宽等特点,异常实用于须要在本钱与性能间完成优胜均衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可完成1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的幻想选择。 TLVx314-Q1器件采取稳健耐用的设计,便利电路设计人员应用。该器件具有单位增益稳定性,支撑轨到轨输入和输入(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI克制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,合适在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状况下任务并可在-40°C至+ 125°C的扩大工业温度范围内额外运转。 TLV314-Q1(单通道)采取5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采取8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采取14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特点 符合汽车类应用的请求 具...
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TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算缩小年夜器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的高压数字开关霍尔效应传感器。该器件采取2.5V至5.5V电源任务,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值供给数字输入。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度逾越磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输入驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输入变成高阻抗。由B OP 和B RP 分别产生的滞后有助于防止输入噪声惹起的输入误差。这类设备使体系设计加倍强大年夜,可抵抗噪声搅扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽情况温度范围内坚持不懈地任务。 特点 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V任务电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输入可以或许达到20 mA 优化的高压架构 集成滞后以加强抗噪才能 任务温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 外面贴装SOT-23 一切商标均为其各自一切者的家当。 参数 与其它产品比拟 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器供给宽电源范围,推挽输入,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输入照应。一切这些特点使该比较器异常合适须要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,个中推挽输入级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 岑岭值电流推挽输入级是高压比较器的独特的地方,它具有许可输入主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边沿速度。这在MOSFET开关须要被驱动为高或低以便将主机与不测高压电源连接或断开的应用中特别有价值。低输入掉调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理简直任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采取6引脚SOT-23封装,额外任务温度范围为-40°C至+ 125°C。 特点 AEC-Q100符合以下成果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C情况温度任务温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共榜样围 相位反转保护 推 - 拉输入 250ns传播延迟 低输入掉...
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TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度长途和本地温度传感器

这个长途温度传感器平日采取低本钱分立式NPN或PNP晶体管,或许基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中弗成或缺的部件。本地和长途传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接收SMBus通信协定,和多达9个不合的引脚可编程地址。 该器件将诸如串连电阻抵消,可编程非幻想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高等特点完美结合,供给了一套精确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控处理筹划。 TMP461-SP是在各类分布式遥测应用中停止多地位高精度温度丈量的幻想选择这类集成式本地和长途温度传感器可供给一种简单的办法来丈量温度梯度,进而简化了航天器保护活动。该器件的额外电源电压范围为1.7V至3.6V,额外任务温度范围为-55 °C至125°C。 特点 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热加强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
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TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度长途和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各类汽车电源应用中最新处理器战争台的电源管理请求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,设备为4个单相输入。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 主动PFM /PWM(主动形式)操作可在宽输入电流范围内最大年夜限制地进步效力。 LP87524B /J /P-Q1支撑长途电压检测,以补偿稳压器输入和负载点(POL)之间的IR压降,从而进步输入电压的精度。另外,开关时钟可以强迫为PWM形式,也能够与外部时钟同步,以最大年夜限制地增添搅扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支撑负载电流丈量,无需增长外部电流检测电阻器。另外,LP87524B /J /P-Q1还支撑可编程的启动和封闭延迟和与旌旗灯号同步的序列。这些序列还可以包含GPIO旌旗灯号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变更时代,器件控制输入压摆率,以最大年夜限制地增添输入电压过冲和浪涌电流。 特点 符合汽车应用请求 AEC-Q100符合以下成果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C情况任务温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输入电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输入电流高达10 A 输入电压漏电率...
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频缩小年夜器

TAS2562是一款数字输入D类音频缩小年夜器,经过优化,可以或许有效地将岑岭值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类缩小年夜器可以或许在电压为3.6 V的情况下向6.1负载供给6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可完成对扬声器的及时监控。这许可在将扬声器保持在安然操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉落电的电池跟踪峰值电压限制器可优化全部充电周期内的缩小年夜器裕量,防止体系封闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采取36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类缩小年夜器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权余暇信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效力为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK收费操作 低风行并点...
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TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频缩小年夜器

LM358B 双路运算缩小年夜器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包含两个高压(36V)操作缩小年夜器(运算缩小年夜器)。这些器件为本钱敏感型应用供给了卓越的价值,具有低掉调(300μV,典范值),共模输入接地范围和高差分输入电压才能等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有加强稳定性,3 mV(室温下最大年夜)的低偏移电压和300μA(典范值)的低静态电流等加强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最稳定,极具情况挑衅性的应用。 LM358B和LM2904B器件采取微型封装,例如TSOT-8和WSON,和行业标准封装,包含SOIC,TSSOP和VSSOP。 特点 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供给 - 电流为300μA(B版,典范值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 浅显 - 形式输入电压范围包含接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大年夜值) 外部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有解释,不然一切参数均经过测试。在一切其他产品上,临盆加工不用定包含一切参数的测试。 所...
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LM358B 双路运算缩小年夜器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各类汽车电源应用中最新处理器战争台的电源管理请求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可设备为1个四相输入,1个三相和1个单相输入,2个两相输入,1个两相和2个单相输入,或许4个单相输入。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能旌旗灯号停止控制。 主动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO形式)与主动增相和切相相结合,可在较宽输入电流范围内最大年夜限制地进步效力.LP8756x-Q1支撑对多相位输入的长途差分电压检测,可补偿稳压器输入与负载点(POL)之间的IR压降,从而进步输入电压的精度。另外,可以强迫开关时钟进入PWM形式和将其与外部时钟同步,从而最大年夜限制地降低搅扰。 LP8756x- Q1器件支撑在不添加外部电流检测电阻器的情况下停止负载电这个序列能够包含用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO旌旗灯号。在启动和电压变更时代,该器件会对输入压摆率停止控制,从而最大年夜限制地减小输入电压过冲和浪涌电流。 特点 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的以下特点: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的情况运转温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压缩小年夜器

LM290xLV系列包含双路LM2904LV和四路LM2902LV运算缩小年夜器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算缩小年夜器可以替换低电压应用中的本钱敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大年夜型电器,烟雾探测器和小我电子产品.LM290xLV器件在低电压下可供给比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算缩小年夜用具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列供给了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采取行业标准封装。这些封装包含SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特点 实用于本钱敏感型体系的工业标准缩小年夜器 低输入掉调电压:±1mV < LI>共模电压范围包含接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运转 供给双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩大温度范围:-40°C至125°C 一切商标均为各自一切者的家当。 参数 与其它产品比拟 通用 运算缩小年夜器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 259次 浏览
LM2902LV 行业标准、低电压缩小年夜器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各类汽车电源应用中最新处理器战争台的电源管理请求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可设备为1个四相输入,1个三相和1个单相输入,2个两相输入,1个两相和2个单相输入,或许4个单相输入。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能旌旗灯号停止控制。 主动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO形式)与主动增相和切相相结合,可在较宽输入电流范围内最大年夜限制地进步效力.LP8756x-Q1支撑对多相位输入的长途差分电压检测,可补偿稳压器输入与负载点(POL)之间的IR压降,从而进步输入电压的精度。另外,可以强迫开关时钟进入PWM形式和将其与外部时钟同步,从而最大年夜限制地降低搅扰。 LP8756x- Q1器件支撑在不添加外部电流检测电阻器的情况下停止负载电这个序列能够包含用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO旌旗灯号。在启动和电压变更时代,该器件会对输入压摆率停止控制,从而最大年夜限制地减小输入电压过冲和浪涌电流。 特点 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的以下特点: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的情况运转温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器